RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
12.1
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2339
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link