Confronto tra le RAM Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

41 73

Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.7 7.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.1 13.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2366 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns