RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.3
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
58
Intorno -107% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
28
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
3546
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link