RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
71
Intorno -209% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
1,703.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
23
Velocità di lettura, GB/s
3,817.6
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,703.8
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
628
2339
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link