RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Confronto
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14200
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14200
17000
Other
Descrizione
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2558
1633
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link