RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
74
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
74
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
1779
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link