RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2266
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link