RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3422
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link