RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3660
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link