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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2781
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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