RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
1511
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link