RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
60
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
60
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2359
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link