RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
56
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
56
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2307
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link