RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
47
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,960.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
47
Velocità di lettura, GB/s
6,465.2
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,960.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1087
2537
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link