RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2488
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link