RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3116
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link