RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
37
Velocità di lettura, GB/s
14.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2898
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link