RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
2871
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link