RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
2709
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link