RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
5.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.4
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
1771
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link