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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
55
Intorno 49% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
55
Velocità di lettura, GB/s
12.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
2701
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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