RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
29
Velocità di lettura, GB/s
17.4
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
3901
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1066 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link