RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
49
Velocità di lettura, GB/s
17.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
2668
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link