RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
10.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
14.5
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2675
3683
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link