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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
52
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
52
Velocità di lettura, GB/s
15.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2405
2306
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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