RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
14.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2231
2783
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link