RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
41
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
41
Velocità di lettura, GB/s
16.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2154
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link