RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
58
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
16.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
58
Velocità di lettura, GB/s
16.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
1998
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link