RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
28
Velocità di lettura, GB/s
16.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
3419
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link