RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
18.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
3279
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link