RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Confronto
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
14.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
18.0
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
14.1
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3593
3929
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link