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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
19.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
15.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3614
2641
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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