RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Confronto
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
23
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.1
24.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
19.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
14
23
Velocità di lettura, GB/s
25.1
24.4
Velocità di scrittura, GB/s
19.3
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4182
4300
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link