RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3409
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link