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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
63
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
63
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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