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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3579
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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