RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3325
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link