RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
49
Intorno -29% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
38
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2499
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U139C4P2-S01S 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link