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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
49
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
18
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3507
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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