RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3208
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link