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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
54
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
54
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2313
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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