RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Confronto
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,928.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
26
Velocità di lettura, GB/s
6,927.6
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,928.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
948
3303
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link