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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
62
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
44
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
1660
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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