RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
68
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
68
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
1812
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link