RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
62
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
32
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
3372
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link