RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
16.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2560
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link