RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
62
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
62
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
1586
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link