RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link