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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
30
Velocità di lettura, GB/s
9.1
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2090
3019
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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