RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
12.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link